| 答辯人 | 牟世勇 | 學(xué)院 | 基礎(chǔ)與前沿研究院 | 專(zhuān)業(yè) | 材料科學(xué)與工程 |
| 導(dǎo)師 | 董帆 | 答辯時(shí)間 | 2025.05.26 14:00 | 答辯地點(diǎn) | 電子科技大學(xué)清水河校區(qū)六號(hào)科研樓B214 |
| 答辯題目 | 過(guò)渡金屬氧化物電催化小分子構(gòu)建C-N鍵性能及機(jī)理研究 | ||||
| 姓名 | 職稱(chēng)/職務(wù) | 是否博導(dǎo) | 從事學(xué)科、專(zhuān)業(yè) | 工作單位 | |
| 主席 | 劉彬 | 正高級(jí) | 是 | 化學(xué) | 香港城市大學(xué) |
| 潘志成 | 正高級(jí) | 是 | 環(huán)境科學(xué)與工程 | 海天水務(wù)集團(tuán) | |
| 鮑駿 | 正高級(jí) | 是 | 化學(xué) | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) | |
| 岳秦 | 教授 | 是 | 材料科學(xué)與工程 | 電子科技大學(xué) | |
| 郭孝東 | 正高級(jí) | 是 | 材料科學(xué)與工程 | 四川大學(xué) | |
| 耿金菊 | 正高級(jí) | 是 | 環(huán)境科學(xué)與工程 | 重慶大學(xué) | |
| 申渝 | 正高級(jí) | 是 | 計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù) | 重慶工商大學(xué) |
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